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薄膜電路用大尺寸精密氧化鋁陶瓷基片

發(fā)布日期:2019年5月15日

大尺寸精密氧化鋁陶瓷基片是當(dāng)前混合集成 電路的優(yōu)選材料,對IC技術(shù)的提高與發(fā)展具有 重要的意義。中國建筑材料科學(xué)研究總院陶瓷科 學(xué)研究院對氧化鋁陶瓷基片的研究較早可追溯到 上世紀(jì)70 年代,制備工藝是采用流延法和注漿 法。“九五”至“十一五”期間,針對用戶需求, 相繼開展并完成了“低表面粗糙度陶瓷基片”和 “特種微晶陶瓷基片”等項目的研究,解決了包 括凝膠注模等多項關(guān)鍵制備技術(shù),獲得了表面粗 糙度小于Ra=0.006μm的材料,為批量制備氧 化鋁陶瓷基片奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。

針對國內(nèi)高等級薄膜電路用大尺寸氧化鋁陶瓷基片 (4”、5”)主要依賴進(jìn)口的現(xiàn)狀,結(jié)合多年以來的技術(shù)積 累,陶瓷科學(xué)研究院開展了氧化鋁陶瓷基片產(chǎn)業(yè)化研究, 產(chǎn)品規(guī)格品種和應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)一步拓寬,產(chǎn)能規(guī)模得到了 有效擴(kuò)大。

成果簡介

成果一:高質(zhì)量、大尺寸陶瓷素坯成型技術(shù)

氧化鋁陶瓷基片生產(chǎn)的核心技術(shù)是高質(zhì)量陶瓷坯片 的成型, 要求成形坯片表面平整光滑,厚度均勻一致,燒 結(jié)收縮率穩(wěn)定,而且具有良好的柔韌性以滿足后續(xù)沖切、 加工的需要。氧化鋁陶瓷坯片成型方法有多種:干壓法 和熱壓鑄法不能制備厚/ 徑比小的薄型坯片,且表面質(zhì) 量較差;軋膜法生產(chǎn)的坯片不可避免會形成方向性,造 成燒結(jié)后縱橫向尺寸難以控制, 性能也會出現(xiàn)各向異性;

有機(jī)料漿流延法是目前國內(nèi)外工業(yè)化生產(chǎn)高質(zhì)量氧化鋁 陶瓷坯片的通用方法,但設(shè)備投資昂貴,原材料成本高, 特別是需要使用高揮發(fā)性有毒溶劑如甲苯、二甲苯、三 氯乙烯等,會造成嚴(yán)重的環(huán)境污染,在一些發(fā)達(dá)國家已 不允許使用;水基料漿流延法是近些年來國內(nèi)外研究的 熱點,但由于水溶劑揮發(fā)困難,生產(chǎn)效率低,揮發(fā)過程 中易使坯片表面出現(xiàn)針孔缺陷,特別是由于脫水干燥過 程會產(chǎn)生較大收縮而導(dǎo)致坯片開裂, 至今未能應(yīng)用于工業(yè) 化大生產(chǎn)。較近清華大學(xué)發(fā)明了一種水基料漿流延凝膠 法制備陶瓷坯片的技術(shù),但該工藝仍需使用昂貴的流延 機(jī)設(shè)備且需進(jìn)一步增加氮氣保護(hù)裝置,同時濕凝膠坯片 從載膜帶上剝離及纏卷困難很大,至今未能實現(xiàn)工業(yè)化 生產(chǎn)。

水基凝膠注模法是制備氧化鋁陶瓷基片的一種新工 藝。其工藝與傳統(tǒng)的有機(jī)料漿流延法制備坯片的原理和思路不同之處在于:流延成形需待料漿中有機(jī)溶劑揮發(fā) 后靠粘結(jié)劑固結(jié)定形才能從載膜帶上剝離下來,而凝膠 注模法是水基料漿凝膠固化先完成,從模板上揭下后再 自然干燥脫去水溶劑,這就導(dǎo)致所用設(shè)備和工藝存在很 大的差別。與有機(jī)流延法相比,水基凝膠注模法生產(chǎn)氧 化鋁陶瓷基片的優(yōu)勢表現(xiàn)為:目前,陶瓷科學(xué)研究院可批量制備5”及以下不同規(guī) 格型號的氧化鋁陶瓷基片(如圖1所示),其微觀結(jié)構(gòu)已 接近國際較先進(jìn)水平(見圖2)。

成果二:大尺寸陶瓷基片的很精冷加工技術(shù)

陶瓷基片的厚度、表面粗糙度等關(guān)鍵性能指標(biāo)通過 研磨拋光工序?qū)崿F(xiàn)。大尺寸陶瓷基片的研磨拋光與小尺 寸的陶瓷基片的加工工藝有較大差別,對2 英寸陶瓷基 片來說,當(dāng)厚度尺寸加工到0.3 毫米以下時,由于陶瓷基 片表面存在應(yīng)力,很易翹曲變形,導(dǎo)致產(chǎn)品的平行度和平整度差,而這些指標(biāo)恰恰是陶瓷基片核心的性能指標(biāo)。 通過選擇合適的拋光材料、調(diào)整研磨拋光的壓力轉(zhuǎn) 速、退火整形等工藝手段減小或消除陶瓷基片表面應(yīng)力, 以達(dá)到高性能陶瓷基片的面形精度。

陶瓷科學(xué)研究院制備的氧化鋁陶瓷基片的各項性能 全面很過GB/T 14639-93 國家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的指標(biāo),也高于 日本京瓷同類產(chǎn)品的技術(shù)指標(biāo)和美國高等級(Supertrate) 薄膜電路基片標(biāo)準(zhǔn)要求。表1為該院生產(chǎn)的陶瓷基片與 國內(nèi)同類產(chǎn)品的性能比較。

表1 與國內(nèi)同類產(chǎn)品的性能比較
  國內(nèi) CBMA
Al2O3/wt% 96、99.6 99.9
體積密度/g·m-3 3.70~3.90 ≥ 3.95
表面粗糙度Ra/μm  0.05~0.0125 0.004~0.008
表面粗糙度Ry/μm 0.3~0.8 0.06~0.08
抗彎強(qiáng)度/MPa 350~400 511

 

展望

陶瓷基片屬于功能陶瓷中市場份額較大的一類材 料,大體占1/5以上。隨著我國電子工業(yè)特別是微電子 工業(yè)的迅速發(fā)展,對氧化鋁陶瓷基片的需求量不斷增 大,其中高等級和特殊規(guī)格99% 氧化鋁基片基本靠進(jìn) 口,外企在中國獨資廠家如京瓷(上海)、九豪(昆山) 等廠家有少量生產(chǎn),市場空缺。根據(jù)現(xiàn)有用戶和潛在用戶提供的數(shù)據(jù),薄膜基片的用途和市場需求預(yù)測情 況為:微波通信、雷達(dá)用T/R 組件等,(5~10)萬 套/年,(0.5~1.0)萬平方米;LSI、VLSI用數(shù)據(jù)采 集電路,高速存儲器等,(10~15)萬平方米;光電、 紅外等傳感器件,(3~5)萬套/年,(0.3~0.5)萬平方米;醫(yī)用混合電路,(0~1)萬套/年,0.02萬平 方米;電功率起爆電路,(5~6)萬套/ 年,(0.1~0.2) 萬平方米。預(yù)計項目完成后2年內(nèi)可以占有電功率起 爆電路90% 的市場份額,占光電、紅外等傳感器件 10%的市場份額。

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